Semiceraoffre fieramenteGa2O3Epitassia, una soluzione di punta cuncepita per spinghje i limiti di l'elettronica di putenza è l'optoelettronica. Questa tecnulugia epitassiale avanzata sfrutta e proprietà uniche di l'ossidu di Gallium (Ga2O3) per furnisce prestazioni superiori in applicazioni esigenti.
Funzioni chjave:
• Exceptional Wide Bandgap: Ga2O3Epitassiapresenta un bandgap ultra-largu, chì permette tensioni di rottura più altu è un funziunamentu efficiente in ambienti d'alta putenza.
•Alta Conductibilità Termale: U stratu epitaxial furnisce una conducibilità termale eccellente, assicurendu un funziunamentu stabile ancu in cundizioni d'alta temperatura, facendu ideale per i dispositi d'alta freccia.
•Qualità di materiale superiore: Ottene una alta qualità di cristalli cù difetti minimi, assicurendu un rendimentu ottimali di u dispositivu è a longevità, soprattuttu in applicazioni critiche cum'è transistori di putenza è detectors UV.
•Versatilità in l'applicazioni: Perfettamente adattatu per l'elettronica di putenza, l'applicazioni RF è l'optoelettronica, chì furnisce una basa affidabile per i dispositi semiconduttori di prossima generazione.
Scopre u putenziale diGa2O3Epitassiacù e soluzioni innovative di Semicera. I nostri prudutti epitassiali sò pensati per risponde à i più alti standard di qualità è prestazione, chì permettenu à i vostri dispositi di operare cù a massima efficienza è affidabilità. Sceglite Semicera per a tecnulugia di semiconductor di punta.
| Articuli | Pruduzzione | Ricerca | Dummy |
| Parametri Crystal | |||
| Politipu | 4H | ||
| Errore di orientazione di a superficia | <11-20>4 ± 0,15 ° | ||
| Parametri elettrici | |||
| Dopantu | Nitrogenu di tipu n | ||
| Resistività | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Parametri meccanichi | |||
| Diamitru | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Spessore | 350±25 μm | ||
| Orientazione pianu primaria | [1-100] ± 5 ° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Pianu secundariu | Nimu | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤ 10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| arcu | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤ 35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosità frontale (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struttura | |||
| Densità di micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ca/cm2 |
| impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ca/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualità Frontale | |||
| Fronte | Si | ||
| Finitura di a superficia | Si-face CMP | ||
| Particelle | ≤60ea/wafer (taglia ≥0.3μm) | NA | |
| Scratchs | ≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametru | Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru | NA |
| Buccia d'arancia / buche / macchie / striature / crepe / contaminazione | Nimu | NA | |
| Chips di bordu / indentazioni / frattura / piastre esagonali | Nimu | ||
| Zone polytype | Nimu | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
| Marcatura laser frontale | Nimu | ||
| Back Quality | |||
| Finitura di daretu | C-face CMP | ||
| Scratchs | ≤5ea/mm, Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru | NA | |
| Difetti in daretu (chips di bordu / indentazioni) | Nimu | ||
| Rugosità di u spinu | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcatura laser posteriore | 1 mm (da u bordu superiore) | ||
| Edge | |||
| Edge | Smusso | ||
| Imballaggio | |||
| Imballaggio | Epi-ready cun imballaggio in vacuum Imballaggio di cassette multi-wafer | ||
| *Note: "NA" significa senza dumanda Articuli micca citati ponu riferite à SEMI-STD. | |||
